【3.12】星驱科技新一代非晶电机，综合效率提升2%；瞻芯电子推出1200V SiC 半桥1B封装模块

近日，星驱科技成功研发出了新一代的非晶电机，相较于同功率的传统电机，非晶电机的重量可减轻15%—20%，同时，非晶电机还具备低损耗的特性，即便是在高达30000rpm的超高转速下，依然能够保持出色的性能稳定性。经试验，星驱科技的非晶电机WLTC综合效率提升2%，搭载该非晶电机的整车在相同工况下续航里程可提升50km。

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在全球双碳战略目标指引下，中国六部门发布《工业能效提升行动计划》，要求2025年高效节能电机占比超70%。传统硅钢电机能效提升进入瓶颈期（每提升1%需大量资源投入），非晶合金材料凭借其卓越性能成为行业突破口。

此前，埃安发布的夸克电驱也是用的非晶材料做的定子，据称最高效率达到了98.5%，工况效率97.2%以及13kW/kg的电机功率密度，其用非晶材料做的定子比传统硅钢片的材料厚度减薄90%，铁损下降50%以上。

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这种通过急速冷却工艺制备的亚稳态金属材料，因其独特的无序原子排列结构，展现出较硅钢高出3个数量级的电阻率（1.3μΩ·m vs 0.45μΩ·m）和低至0.2W/kg的铁损值，使得在20kHz高频工况下涡流损耗可降低80%以上。

3月7日，瞻芯电子推出1B封装的1200V 9mΩ 碳化硅(SiC)半桥功率模块(IV1B12009HA2L)为光伏、储能和充电桩等应用场景，提供了高效、低成本的解决方案。该产品已通过工业级可靠性测试。

这款模块产品(IV1B12009HA2L) 尺寸与标准的Easy 1B封装相同，其壳体紧凑，高度仅12mm。

该模块内部芯片布置于陶瓷覆铜基板（DCB）上，具有内绝缘功能，可直接紧贴散热器，无需外加陶瓷绝缘垫片，安全可靠，散热更好；同时，模块采用弹簧安装座，组装方便，集成的安装夹使安装牢固。

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该模块电路拓扑该模块产品内置1200V 9mΩ SiC MOSFET组成半桥电路，具有较低的杂散电感，简化了应用电路的设计，相对于分立器件方案，提升了功率密度。同时集成热敏电阻(NTC)以监测温度。

该产品具有开尔文源极引脚，能在SiC MOSFET高速开关时，抑制驱动电压尖峰，保障高频开关应用安全和可靠。

这款模块采用瞻芯电子第二代平面栅1200V SiC MOSFET芯片，兼有良好性能和可靠性表现，支持+15V至+18V开通电压和-3.5V至-2V关断电压，额定电流100A。

该产品适用于高频、高效率功率变换系统，具有安全可靠、尺寸紧凑、安装方便等特点，典型应用场景如下：高频开关应用；高压直流变换器（DC-DC）；直流充电桩；不间断电源（UPS）

据中国汽车流通协会乘用车市场信息联席分会最新零售销量数据统计，2025年2月份国内狭义乘用车市场零售销量达138.2万辆，同比增长25.6%，环比下降26.4%；1-2月份累计销量317.6万辆，同比增长1.1%。

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